Главная Обратная связь

Дисциплины:






Теоритические сведения



Лабораторная работа №3

Тема: «Исследование биполярных транзисторов в схеме включения с общим эмиттером».

Цель:Изучение статических вольт – амперных характеристик и определение параметров транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Оборудование:САПР Multisim 11.

Теоритические сведения

Биполярный транзистор - электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления, преобразования и генерации электрических сигналов. Устройство плоскостного биполярного транзистора показано на рисунке.

Вся конструкция выполняется на пластине кремния, либо германия, либо другого полупроводника, в которой созданы три области с различными типами электропроводности. На рисунке транзистор типа n-p-n, у которого средняя область с дырочной, а крайние с электронной электропроводностью.

Средняя область называется базой, одна из крайних областей - эмиттером, другая -коллектором. Соответственно в транзисторе два p-n-перехода: эмиттерный - между базой и эмиттером и коллекторный - между базой и коллектором. Область базы должна быть очень тонкой, гораздо тоньше эмиттерной и коллекторной областей (на рисунке это показано непропорционально). От этого зависит условие хорошей работы транзистора.

Транзистор работает в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном - обратное. В режиме отсечки на оба перехода подано обратное напряжение. Если на эти переходы подать прямое напряжение, то транзистор будет работать в режиме насыщения.

 

Выполнение работы:

1. Входная характеристика

Выполнив схему в САПР Multisim 11, ступенчато изменяя ток на источнике тока I1 и источнике ЭДС V1…

 

…заполним таблицу значений:

UКЭ, В IБ, мА 0,06 0,1 0,3 0,5 0,75
UБЭ, В 0,685 0,649 0,745 0,738 0,736 0,742
UБЭ, В 0,725 0,857 0,849 0,910 0,915 0,935

 

Построим входную характеристикутранзистора на основании данных таблицы:

UКЭ = 10 В
UКЭ = 0 В
UБЭ, В

 

2. Выходная характеристика

Выполнив схему в САПР Multisim 11, ступенчато изменяя ток на источнике тока I1 и источнике ЭДС V1 …

…заполним таблицу значений:

IБ, мА UКЭ, В 0,05 0,1 0,11 0,12 0,13
0,02 IК, мА -0,830 -0,573 0,405 0,658 0,915 1,015
0,05 IК, мА -2,134 -1,415 0,826 1,396 2,131 2,407
0,1 IК, мА -4,167 -2,917 1,332 2,589 3,655 4,978
0,15 IК, мА -6,197 -4,328 1,538 3,415 5,258 6,795

 



IБ, мА UКЭ, В 0,24 0,24 0,13 0,24 0,23 0,17
0,02 IК, мА 1,353 1,402 1,521 1,618 1,727 1,645
0,05 IК, мА 3,254 3,497 3,853 4,184 4,283 4,437
0,1 IК, мА 6,243 6,753 7,622 8,320 8,650 9,127
0,15 IК, мА 8,684 10, 026 11, 231 11, 995 12, 857 13, 015

 

IБ, мА UКЭ, В 0,3 0,4 1, 243 2, 023 4, 879 14, 857
0,02 IК, мА 1,791 1,896 1,950 2,088 2,567 3,690 4,603
0,05 IК, мА 4,763 4,992 5,141 5,441 7,140 9,545
0,1 IК, мА 9,398 10,143
0,15 IК, мА

 

Построим выходную характеристикутранзистора на основании данных таблицы:

IК, мА
UКЭ, В
IБ = 0,15 мА
IБ = 0,1 мА
IБ = 0,05 мА
IБ = 0,02 мА

Вывод:

По показаниям приборов построил входную и выходную характеристики транзистора 2N1711.

 

 





sdamzavas.net - 2017 год. Все права принадлежат их авторам! В случае нарушение авторского права, обращайтесь по форме обратной связи...