Главная Обратная связь

Дисциплины:






УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ



Лабораторно-практическая работа № 7

по предмету «Электроника и импульсной техники»

Тема: «Расчёт параметров биполярных транзисторов по характеристикам»

Цель:

- научиться применять знания, полученные при изучении дисциплины;

- приобрести навыки сборки лабораторных схем для изучения режимов работы транзисторов с последующим расчетом, анализом и экспериментальным определением параметров;

- воспитать у студентов целеустремленность при изучении учебного материала в течение всего учебного года.

Оборудование: методические и справочные материалы, индивидуальное задание.

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

Лабораторно-практическая работа предназначена для усвоения (закрепления) материала теоретических занятий, развития практических умений.

Выполнение практической работы включает этапы: изучение исходных данных; выполнение работы; оформление материалов; защита работы.

 

2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

Транзисторы - полупроводниковые приборы, служащие для генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы.

Параметры транзистора:

h11=DU1/DI1 – входное сопротивление транзистора при неизменном выходном напряжении (DU2=0);

h21=DI2/DI1 – коэффициент передачи тока при неизменном выходном напряжении (DU2=0);

h12=D U1/DU2 – коэффициент обратной связи по напряжению при неизменном входном токе (DI1=0);

h22=D I2/DU2 – выходная проводимость транзистора при неизменном входном токе (DI1=0).

Цифра 1 соответствует входным параметрам, цифра 2 - выходным параметрам токов и напряжений. При расчете h-параметров вместо цифр 1 и 2 подставляют индексы: Э, Б, К для значений токов и напряжений соответствующей схемы включения транзистора.

Параметры зависят от выбранного режима транзистора. Режим задается подачей исходных напряжений смещения на эмиттерный и коллекторный переходы. Эти напряжения определяют положение исходной (рабочей) точки на статических характеристиках. Для выбранного режима малосигнальные параметры определяют по семействам входных и выходных характеристик.

 

 

 

б) входные характеристики при ВАХ при фиксированных значениях напряжения UКЭ

 

а) выходные характеристики при ВАХ при фиксированных значениях IБ

 

Рис.1.

 

Рассмотрим методику определения h-параметров транзистора, включенного с ОЭ. По семейству выходных характеристик (рис.1,а) в рабочей точке А определяем h21э и h22э .

Чтобы определить h21э находим приращение токов ΔIб и ΔIкмежду точками А и В при равном Uкэ= 10В:

Чтобы определить h22э изменяют напряжение на коллекторе на величину ΔUк и находят соответствующее ему приращение тока ΔIб при неизменном токе базы Iб3 = 100мкА:



Параметры h11 и h12 определяют по характеристическому треугольнику АСD, построенному в семействе входных характеристик (рис.1,б), на которых рабочая точка А обозначена для того же режима, что и в семействе выходных характеристик.

По координатам точек А и С находят приращение ΔIб и ΔUбэ при неизменном значении Uкэ= 10В:

При неизменном токе базы Iб3 =100 мкА по точкам А и D вычисляют приращение ΔUбэ и ΔUкэ , откуда:

Недостатком малосигнальных параметров является их зависимость от способа включения транзистора в схему, что усложняет расчеты.

 





sdamzavas.net - 2017 год. Все права принадлежат их авторам! В случае нарушение авторского права, обращайтесь по форме обратной связи...