Главная Обратная связь

Дисциплины:






Лабораторна робота № 6



БЛОКІНГ-ГЕНЕРАТОР

Мета роботи.Дослідження режиму роботи блокінг-генератора та виконання його розрахунку.

1. Короткі теоретичні відомості

1.1. Призначення блокінг-генератора.

Блокінг-генератор (БГ) − однокаскадний трансформаторно-транзисторний підсилювач, замкнений за допомогою трансформатора у кільцеву схему з сильним позитивним зворотнім зв’язком. Блокінг-генератори використовують в імпульсній та цифровій техніці в якості порівняно потужних генераторів імпульсів, близьких за формою до прямокутних. БГ можуть бути використані в якості основного елементу перетворювача низької постійної напруги в більш високу. За допомогою БГ можливо отримати короткочасні прямокутні імпульси великої скважності (відношення інтервалу між імпульсами до тривалості самого імпульсу) в порівнянні з мультивібраторами та одновібраторами.

1.2. БГ з колекторно-базовим зв’язком на транзисторі з загальним емітером.

Розглянемо принцип дії БГ за рис. 6.1, на якому показана його схема з колекторно-базовим зв’язком на транзисторі з загальним емітером. Позитивний зворотній зв’язок між колектором і базою транзистора здійснюється за допомогою обмоток трансформатору . Такий БГ працює в режимі автоколивань.

Рисунок 6.1. Схема блокінг-генератора з колекторно-базовим зв’язком на транзисторі з загальним емітером

Нехай с початку на конденсаторі напруга (при розімкнутому перемикачі ) має полярність, вказану на рис. 6.1. Тоді транзистор знаходиться в закритому стані та конденсатор розряджається через обмотку імпульсного трансформатора , потенціометр , резистор і джерело живлення. Індуктивністю обмотки можливо знехтувати, так як швидкість зміни струму на цьому етапі невелика.

Коли напруга на конденсаторі, прямує до негативного рівня , спадає до нуля, транзистор відкривається та починається другий етап перехідного процесу. На цьому етапі зростаючий колекторний струм наводить у вторинній обмотці трансформатора ЕРС негативної полярності, яка сприяє відкриванню транзистора . Колекторна напруга впродовж другого етапу падає від величини практично до нуля (рис. 6.2).

На третьому етапі відбувається розсмоктування накопичених у базі транзистора носіїв. При цьому колекторна напруга остається близькою до нуля, тобто формується вершина імпульсу (див. рис. 6.2). Через деякий час заряд неосновних носіїв у базі зменшується до такої величини, при якій транзистор виходить із насичення. Після цього настає етап закривання, впродовж якого колекторний струм лавиноподібно спадає до нуля, а колекторна напруга знову досягає величини . Потім відбувається викид напруги, обумовлений розсіянням енергії, накопиченої в осерді трансформатора. По закінченню викиду напруги схема повертається в початковий стан і розглянутий раніше цикл повторюється.



Рисунок 6.2. Залежність колекторної напруги транзистора від часу

Позитивна напруга на конденсаторі , яку ми запропонували на початку циклу, утворюється в процесі формування вершини імпульсу, коли через конденсатор великий базовий струм. Так як, на кінці обмотки зі сторони бази транзистора негативний потенціал, а на другому її кінці − позитивний і величиною більший за , то на другій обкладинці конденсатора вказаний негативний потенціал. Фронти імпульсу зазвичай короткі за часом, а напруга на конденсаторі за цей час майже не змінюється.

Резистор ввімкнений для обмеження максимального струму колектора транзистора при генерації імпульсів малої скважності, зменшення залежності часових параметрів транзистора і, отже, після імпульсного викиду, напруги на базі і колекторі транзистора.

Із резистора знімається прямокутний імпульс дещо спотвореної форми, яка в подальшому може бути виправлена формувальним ланцюгом і на виході емітерного повторювача.





sdamzavas.net - 2019 год. Все права принадлежат их авторам! В случае нарушение авторского права, обращайтесь по форме обратной связи...