Главная Обратная связь

Дисциплины:






Мета роботи: експериментальне дослідження ефективності та форм напруг одно- та двопівперіодних випрямлячів.



Теоретичні положення

Електрофізичні властивості напівпровідників

До напівпровідників відноситься велика кількість речовин і елементів, що за електричними властивостями займають проміжне положення між провідниками і діелектриками. Найбільш широке застосування в напівпровідниковій техніці одержали германій, кремній, селен, а також напівпровідникові з’єднання типу арсенід галію, карбід кремнію, сульфід кадмію та ін.

Для напівпровідників характерна кристалічна будова, тобто закономірне й упорядковане розташування їхніх атомів у просторі. У кристалах пов’язані між собою атоми розташовуються певним чином і на однакових відстанях один від одного, у результаті чого утворюються своєрідні грати з атомів, що прийнято називати кристалічними гратами твердого тіла.

Між атомами кристалічних грат існують зв’язки. Вони утворюються валентними електронами, що взаємодіють не тільки з ядром свого атома, але і із сусідніми. У кристалах германію зв’язок між двома сусідніми атомами здійснюється двома валентними електронами – по одному від кожного атома.

Характерна риса двоелектронних зв’язків полягає в тому, що при їхньому утворенні електрони зв’язку належать уже не одному, а відразу обом, пов’язаним між собою атомам, тобто є для них спільними. У результаті зовнішня орбіта кожного з атомів має наче по вісім електронів і стає цілком заповненою. У такому кристалі усі валентні електрони міцно пов’язані між собою і вільних електронів, що могли б брати участь у переносі зарядів, немає. Такі кристалічні грати мають усі хімічно чисті напівпровідники при температурі абсолютного нуля (-273 °С). У цих умовах напівпровідники мають властивості ідеальних ізоляторів.

Під дією зовнішніх чинників деякі валентні електрони атомів кристалічних грат набувають енергії, достатньої для звільнення від ковалентних зв’язків. Так, при будь-яких температурах вище абсолютного нуля атоми твердого тіла коливаються біля вузлів кристалічних грат. Чим вища температура, тим більша амплітуда коливань. Час від часу енергія цих коливань, окремі флуктуації якої можуть перевищувати її середнє значення, передаються будь-якому електрону, у результаті чого його повна енергія є достатньою для переходу з валентної зони в зону провідності.

Як відомо, для напівпровідників ширина забороненої зони, що розділяє зону енергії валентних електронів від зони провідності, незначна. Тому для одержання помітної провідності в цих речовинах, звичайно, достатньо теплової енергії, що виникає в електронів при кімнатній температурі.

При звільненні електрона від ковалентного зв’язку в останньому виникає наче вільне місце, що має елементарний позитивний заряд, рівний за абсолютною величиною заряду електрона. Таке місце , що звільнилося в електронному зв’язку, умовно назвали діркою, а процес утворення пари електрон – дірка одержав назву генерації зарядів.Дірка має позитивний заряд, тому вона може приєднати до себе електрон сусіднього заповненого ковалентного зв’язку. У результаті цього відновлюється один зв’язок (цей процес називають рекомбінацією) і руйнується сусідній в іншому місці. Такий генераційно-рекомбинаційний процес безупинно повторюється, і дірка, переходячи від одного зв’язку до іншого, буде переміщатися по кристалу, що адекватно переміщенню позитивного заряду, рівного за величиною заряду електрона. При цьому треба мати на увазі, що концентрація дірок в ідеальному кристалі хімічно чистого напівпровідника завжди дорівнює концентрації вільних електронів.



При відсутності зовнішнього електричного поля електрони і дірки переміщаються в кристалі хаотично. У цьому випадку струм у напівпровіднику не виникає. Якщо ж на кристал діє електричне поле, переміщення дірок й електронів стає упорядкованим і в кристалі виникає електричний струм.

У хімічно чистому кристалі напівпровідника число дірок завжди дорівнює числу вільних електронів і електричний струм у ньому утвориться в результаті одночасного переносу зарядів обох знаків. Така електронно-діркова провідність називається власною провідністю напівпровідника. При цьому загальний струм у напівпровіднику дорівнює сумі електронного і діркового струмів.

Питома електропровідність напівпровідника залежить від типу речовини та від температури. Чим вища температура, тим питома електропровідність вища, причому ця залежність носить експоненційний характер.

Істотно змінює провідність напівпровідника наявність домішок.

Залежно від того, атоми якої речовини будуть введені в кристал, можна одержати перевищення надлишкових електронів або дірок, тобто одержати напівпровідник з електронною або дірковою провідністю.

Провідність, викликана присутністю в кристалі напівпровідника домішок з атомів з іншою валентністю, називається домішковою. Домішки, що викликають у напівпровіднику збільшення вільних електронів, називаються донорними, а ті що викликають збільшення дірок – акцепторними.

Різна дія домішок пояснюється так. Припустимо, що в кристал германію, атоми якого мають чотири валентних електрони,введений атом речовини, що має на зовнішній орбіті не чотири, а п’ять валентних електронів, наприклад, атом миш’яку. У цьому випадку атоми миш’яку своїми чотирма з п’ятьох валентними електронами вступають у зв’язок з атомами кристалічних грат германію. П’ятий валентний електрон миш’яку виявиться надлишковим (вільним) електроном. Напівпровідники, електропровідність яких підвищилася завдяки утворенню надлишку вільних електронів при введенні домішок, називаються напівпровідниками з електронною провідністю або скорочено напівпровідниками типу п. Введення в чотиривалентний напівпровідник тривалентного елемента, наприклад, індію, призводить, навпаки, до надлишку дірок над вільними електронами. У цьому випадку ковалентні зв’язки не будуть цілком завершені і дірки, що утворилися, можуть переміщатися по кристалу, створюючи діркову провідність. Напівпровідники, електропровідність яких обумовлюється в основному переміщенням дірок, називаються напівпровідниками з дірковою провідністю або скорочено напівпровідниками типу р.

Струм у напівпровіднику з’являється як наслідок спрямованого переміщення носіїв заряду. Розрізняють два можливих випадки появи струму в напівпровіднику. Струм, обумовлений зовнішнім електричним полем, одержав назву дрейфового струму. Струм, що виникає в результаті дифузії носіїв з області, де їхня концентрація підвищена, у напрямку області з більш низькою концентрацією, називається дифузійним струмом. Нерівномірність концентрації носіїв зарядів у напівпровіднику може виникнути під дією світла, нагрівання, електричного поля тощо.

Однорідні напівпровідники знаходять обмежене застосування: вони безпосередньо використовуються лише як напівпровідникові резистори. Більшість дискретних напівпровідникових приладів і елементів мікросхем являють собою неоднорідні структури. Основні різновиди таких структур – контакт двох напівпровідників із різним типом провідності п-і р- типу і контакт металу з напівпровідником.

Найбільше поширення в напівпровідниковій техніці та мікроелектроніці одержали контакти типу напівпровідник – напівпровідник.

Електричний перехід між двома областями напівпровідника з різними видами провідності називають електронно-дірковим або р-п переходом
(рис. 30.1).

Розглянемо явища, що виникають при електричному контакті між напівпровідникамип-і р- типів з однаковою концентрацією донорних і акцепторних домішок.

Внаслідок того, що концентрація електронів у n-області вища, ніж у р-області, а концентрація дірок у р-області вища, ніж у n-області, на межі цих областей існує градієнт концентрацій носіїв, що викликає дифузійний струм електронів із n-області в р-область і дифузійний струм дірок із p-області в n-область.

 

 


Рисунок 30.1

Якби електрони і дірки були нейтральними, то дифузія в остаточному підсумку призвела би до повного вирівнювання їхньої концентрації по всьому об’єму кристала. В дійсності дифузійні струми через р-пперехід не призводять до вирівнювання концентрації носіїв в обох частинах напівпровідника. Дифузія електронів з приконтактної n-області призводить до того, що їхня концентрація тут зменшується і виникає некомпенсований позитивний заряд іонів донорної домішки. Так само в р-області внаслідок дифузії дірок їхня концентрація у приконтактному прошарку знижується і тут виникає некомпенсований негативний заряд іонів акцепторної домішки. Таким чином, на межі областей n- і р-типу утворяться два прошарки протилежних за знаком зарядів. Область просторових зарядів, що утворилися, і є р-n перехід. Його ширина не перевищує десятих часток мікрометра.

Просторові заряди в переході утворять електричне поле, спрямоване від позитивно заряджених іонів донорів до негативно заряджених іонів акцепторів. Схема утворення електричного поля в р-п переході показана на рис. 30.1. Це поле є гальмуючим для основних носіїв заряду й прискорювальним для неосновних.

При порушенні рівноваги р-п переходу зовнішнім електричним полем через нього починає протікати струм. Характер проходження і величина струму залежать від полярності прикладеної напруги.

Спочатку розглянемо випадок, коли зовнішня напруга протилежна за знаком контактній різниці потенціалів (рис. 30.2). У цьому випадку джерело вмикається так, що поле, утворюване зовнішньою напругою, спрямоване назустріч власному полю р-ппереходу. Таке вмикання називають прямим. Воно призводить до зниження висоти потенційного бар’єра. Основні носії заряду одержують можливість наблизитися до контакту і ширина р-ппереходу зменшиться.

Частина основних носіїв, що мають найбільші значення енергії, зможе подолати потенційний бар'єр і перейти через межу, що розділяє напівпровідники nі р типу. При цьому дифузійна складового струму стає більша дрейфової і результуючий прямий струм через перехід стає відмінним від нуля.

 

       
   
 
 

 

 


Рисунок 30.2

При збільшенні зовнішньої прямої напруги прямий струм через перехід може зрости до дуже великих значень, тому що він обумовлений, головним чином, потоком основних носіїв, концентрація яких в обох областях велика.

Процес уведення носіїв заряду через електронно-дірковий перехід при зниженні висоти потенційного бар’єру в область напівпровідника, де ці носії заряду є неосновними, називається інжекцією.

Розглянемо тепер властивості р-ппереходу, до якого підведена зворотна зовнішня напруга. При цьому електричне поле, утворюване джерелом, збігається з полем р-ппереходу. Потенційний бар’єр між рі n областями зростає. Кількість основних носіїв, що спроможні подолати дію результуючого поля, зменшується. Відповідно зменшується і струм дифузії основних носіїв заряду. Під дією електричного поля, утворюваного зовнішнім джерелом, основні носії будуть відтягатися від приконтактних прошарків углиб напівпровідника. У результаті ширина р-ппереходу збільшується.

Для неосновних носіїв (дірок у n-області й електронів у р-області) потенційний бар’єр в переході відсутній і вони будуть втягуватися полем в області р-ппереходу. Це явище називається екстракцією.

При зворотному вмиканні переважну роль відіграє дрейфовий струм, що має незначну величину, тому що він створюється рухом неосновних носіїв. Цей струм одержав назву зворотного струму.

Величина зворотного струму практично не залежить від зовнішньої зворотної напруги. Це можна пояснити тим, що за одиницю часу кількість генерованих пар електрон-дірка при незмінній температурі залишається незмінним.





sdamzavas.net - 2019 год. Все права принадлежат их авторам! В случае нарушение авторского права, обращайтесь по форме обратной связи...